Технология полупроводникового кремния
Фалькевич Э. С., Пульнер Э. О, Червоный И. Ф.
Издательство: Металлургия
Город: Москва
Год издания: 1992
Количество страниц: 408
Аннотация: Изложены физико-химические основы технологии полупроводникового кремния, рассмотрены свойства технологических материалов, влияние структурных несовершенств и термической обработки на электрофизические и физико-химические свойства кремния. Описаны процессы получения кремния и оборудование, в том числе вакуумное и криогенное. Рассмотрены способы получения кремния с заранее заданными свойствами, приведены области его применения. Значительное внимание уделено контролю качества продукции, технике безопасности в кремниевом производстве.
Для инженерно-технических работников и специалистов полупроводниковой промышленности. Может быть полезна студентам вузов, обучающимся по соответствующим специальностям.
ISBN: 5-229-00740-0
УДК: 537.311.33:669.782
ББК:
ID: 144
Формат: .djvu
Размер файла: 4.95 Мб
Загрузил: Василий Кукушкин 2016-09-05 00:24:07
Раздел: Техническая литература > Радиоэлектроника > Промышленная электроника
